文章阐述了关于开关电源打静电vcc击穿,以及电源击穿是什么意思的信息,欢迎批评指正。
1、你好,开关电源的RCD吸收二极管是在MOS管截止时导通的,就能把初级的反峰电压消耗在RC上,保护MOS管不被反峰电压击穿。而不是你说的“开关电源RCD吸收二极管可以在MOS管导通的时候防止输入电压直接从RCD吸收一路经过”。另外,VCC二极管这个称呼不专业,让人不知是哪个电源二极管,我估计是续流二极管吧。
2、在开关电源,尤其是斩波器电路和桥式开关电源中,经常在MOS管或者IGBT两端并联吸收回路或者缓冲电路,而在单端反激式电源里通常在变压器绕组上并联RCD吸收电路。
3、不是启动电阻。它的作用是保护开关管,降低开关管突然截至时D极出现的瞬间高压,防止开关管被击穿。
4、输出的二极管D1不能用1N4007,1N4007是整流管,恢复速度相当慢。设计的VCC比较低时选肖特基管,VCC较高时,可以选快管。说说原理:220V经整流变成脉动的直流,直流最大值220*414V,最小值依据跟的滤波,只放了一个C5,我估计ΔV估计都有30V。
5、开关管导通时,电流的变化率di/dt=U/L,考虑最坏的情况U最小10V让你的电流电压在一个周期的积分也就是功率稍微超出你的最大输出功率。这样就确定了L1也就是原边自感。L1=Pm*N1^2=ui*u0*Ae/le,其中ui为相对磁导率,u0为真空绝对磁导率,Ae为有效截面积,le为磁芯长度。
可能的原因很多,整流桥后面有大容量电解电容,因此在上电时瞬时相当于短路电流很大,为了防止损坏整流桥会在桥输入前串联ntc,如果ntc失效,或者电容击穿,或者散热不良,都可能损坏整流桥/二极管。
开关电源一般都有脉冲变压器,所以即便是变压器的原边是单方向的脉冲,到了变压器的副边已经是正负交替的交变电压了,所以***用全桥整流应该是可以的。
这是你的高频变压器设置的问题,要把Vcc绕组的线圈改变绕制的方法,即可改善效果。
更正一下问题,基极是当开关管为三极管时,一般无须加稳压管。开关管为MOSFET时需要,一般MOSFET的栅源击穿电压为20V左右,通常需要加 一个18V的稳压管,防止击穿。
当不存在外部电源供电时,2(电池正极)——R23——D13——GND——1(电池负极)组成回路,使得D13起到了指示电池电量的作用。
1、这是你的高频变压器设置的问题,要把Vcc绕组的线圈改变绕制的方法,即可改善效果。
2、这是因为空载时,其输出的滤波电容储能无得到及时释放,从而导致输出电压过高。
3、这是因为供电电源存在内阻的原因。假设电源电势为12V,电源内阻为1Ω,负载为11Ω,那么电源供给负载的电流是1A。电源内阻的电压降为 1Ax1Ω=1(V)。
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