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开关电源栅源极波形

xiaofei
开关电源
2024-09-28 01:21:10
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接下来为大家讲解开关电源栅源极波形，以及栅源电压涉及的相关信息，愿对你有所帮助。

简述信息一览：

1、功率MOS场效应晶体管的基本特性
2、跪求关于《半导体激光器脉冲触发系统设计》方面的一些资料和相关论文...
3、MOS管当开关控制时,一般用PMOS做上管NMOS做下管
4、IGBT在关断的时候,出现这个波形,是怎么回事

功率MOS场效应晶体管的基本特性

MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系，使用者无法降低Cin，但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度，MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10—100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。场控器件静态时几乎不需输入电流。

功率场效应管与双极型功率晶体管之间的特性比较如下：驱动方式：场效应管是电压驱动，电路设计比较简单，驱动功率小；功率晶体管是电流驱动，设计较复杂，驱动条件选择困难，驱动条件会影响开关速度。

（图片来源网络，侵删）

场效应管的抗辐射能力强；由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

跪求关于《半导体激光器脉冲触发系统设计》方面的一些资料和相关论文...

1、图1为激光触发脉冲功率源同步控制系统结构框图，单台源均***用德国InnoLas公司的SpitLight 1200激光器，将触发信号分成多路，分别控制单元开关导通。

2、在“八五”期间作为“863”***，关于激光器可靠性研究方面的科研任务，电导数测量技术已实现仪器化。针对半导体激光器皮秒（ps）技术在高速光电子学中的广泛应用，他指导了“七五”期间“863”***的“半导体激光器高速电光***样仪”研制项目，开展了半导体激光器超短光脉冲、强度自相关测试和超高速电光***样仪技术的研究。

（图片来源网络，侵删）

3、激光脉冲电源激励脉冲半导体激光器发射光脉冲，经光学系统准直，照射到目标表面，一部分反射光由接近光学系统接收后，聚焦到探测器光敏面上，输出电脉冲信号，经放大、整形等处理后送到脉冲鉴相器。

4、研究了光触发增强放大特性，发现了输入光谱的单模纯正效应和光学混沌特性，并利用截取技术获得10ps光脉冲。他指导学生提出一种获得更窄光脉冲的“相关注入”新概念，并作了计算模拟研究。

5、．激光技术：激光器和激光调制技术的研制，及为了激光在工业、农业、医学、国防等领域内的应用而进行的活动。06．自动化技术：指在控制系统、自动化技术应用、自动化元件、仪表与装置、人工智能自动化、机器人等领域中的活动。

6、激光脉冲电源激励脉冲半导体激光器发射光脉冲，经光学系统准直，照射到目标表面，反射光由接近光学系统接收后，聚焦到探测器光敏面上，输出电脉冲信号，经放大、整形等处理后送到脉冲鉴相器。

MOS管当开关控制时,一般用PMOS做上管NMOS做下管

总的来说，PMOS作为上管，NMOS作为下管的配置之所以广泛***用，是因为它简化了电路设计，降低了控制难度。在大多数情况下，这种配置提供了稳定的性能和易于实现的控制，而避免了不必要的复杂性。当然，特殊情况下的反向选择虽然可能在某些特殊场合有其价值，但一般情况下，遵循常规策略更为常见。

但是pmos没有nmos流行的原因是，pmos导通压降大，效率低，Pmos的同态电阻比NMOS大，输入电压低，而且还有成本问题，所以开关电源主开关管很少用PMOS导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况低端驱动，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

PMOS的值不同。（1）、增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。（2）、耗尽型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面已有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压小于0；PMOS，大于0。原理不同。

MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。

极性方面，PMOS是一种正极性的MOS管，其源极和漏极是p型半导体，而控制电极是n型半导体。相反，NMOS是一种负极性的MOS管，其源极和漏极是n型半导体，控制电极是p型半导体。这种极性差异导致了它们在电路中的行为不同。工作原理上，PMOS依靠空穴的流动来运送电流，当栅极电压低于某一阈值时，PMOS导通。